В книге представлены доклады известных специалистов из разных стран на IV Международной конференции по моделированию полупроводниковых приборов и интегральных схем, проходившей в июне 1985 г. в г. Дублине.
Рассматриваются вопросы моделирования электрофизических характеристик приборов и технологических процессов, применяемых при их изготовлении. Большое внимание уделено используемым численным методам и описанию пакетов прикладных программ. Широко представлены результаты двумерного моделирования различных полупроводниковых приборов, а также процессов диффузии и окисления. Наряду с традиционной диффузионно-дрейфовой моделью в ряде работ для анализа характеристик приборов используются гидродинамическая модель и метод частиц. Основное внимание уделяется кремниевым приборам, но в ряде работ рассматриваются свойства, характерные для приборов на основе соединений А3В5. Кратко затрагиваются вопросы схемотехнического анализа, моделирования литографии, травления, осаждения, ионной имплантации, воздействия светового и ионизирующего излучений.